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  • SiC MOSFET
SiC MOSFET

SiC MOSFET

650℃,1.2MeV高溫注入能力。
1:先進的碳膜保護及高溫退火工藝。
2:業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的柵極氧化及缺陷控制技術(shù)。
3:業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC溝槽刻蝕技術(shù)。
4:50微米超薄SiC晶圓BGBM工藝能力。
5:先進的APQP和6Sigma質(zhì)量管理,產(chǎn)品線良率穩(wěn)定。

產(chǎn)品優(yōu)勢:


  • 超高溫處理能力(max.TJ = 200 °C)。

  • 極低的開關(guān)損耗(隨溫度變化影響最小)允許工作在非常高的開關(guān)頻率。

  • 在溫度范圍內(nèi)具有低導(dǎo)通電阻、易于驅(qū)動、穩(wěn)定的超快速本體二極管。


應(yīng)用市場:


清潔能源市場:

  • 光伏發(fā)電系統(tǒng)、風(fēng)電系統(tǒng)等。

軌道交通:

  • 地鐵、高鐵。

商&工業(yè)市場:

  • UPS、通信電源、儲能系統(tǒng)等。

醫(yī)療設(shè)備市場:

  • MRI電源、X光機電源。

航空市場:

  • 配電系統(tǒng)、空調(diào)系統(tǒng)等。

新能源車:

  • 外置充電器、車載充電器。 

  • 車載DC-DC轉(zhuǎn)換器。

  • 動力電機驅(qū)動。

  • 能量回收。


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